MoneyDJ新聞 2015-08-11 12:54:49 記者 郭妍希 報導
BusinessKorea 11日報導，市調機構IHS發表研究報告指出，今(2015)年第3季(7-9月)期間三星電子(Samsung Electronics Co.)產出的記憶體當中有75%會是10奈米等級的NAND型快閃記憶體、17%則將是3D V-NAND。三星的先進製程佔比在今年Q1還只有49%，到了Q2就一舉躍升至72%，Q3還將進一步上升至超過90%，進展的速度相當驚人。
相較之下，美光(Micron Technology)雖努力拉高15-19奈米的製程技術佔比、達到76%，但至今仍未開始量產3D NAND或是10-14奈米製程的記憶體。
三星甫於8月10日發布新聞稿宣布第三代V-NAND已正式量產。三星指出，業界首見、以48層3-bit MLC堆疊的256Gb 3DVertical NAND (V-NAND)開始量產，可用於固態硬碟(SSD)，這款快閃記憶體的密度是傳統128Gb NAND的一倍，除了單顆晶粒就具備32 gigabytes (256 gigabits)的記憶體儲存容量外，最新晶片的儲存容量也可輕鬆到三星現有SSD產品線的一倍之多。
三星是在2014年8月推出第二代V-NAND (32層3-bit MLC V-NAND)，現在只花了短短一年後就發布第三代V-NAND，持續在3D記憶體時代保持領先地位。
最新的V-NAND內，每一個記憶體單元都運用了同樣的3D Charge Trap Flash (CTF)架構，在儲存相同的資料量之際，耗電量能比32層3-bit MLC 128Gb V-NAND節省逾30%。在生產過程方面，第三代V-NAND的生產效率比前代高出40%，可讓SSD更具成本競爭力。
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