MoneyDJ新聞 2026-08-13 09:15:42 黃立安 發佈
隨光通訊架構持續朝LPO、NPO及CPO等技術演進，針對不同架構對CW Laser規格需求的影響，光通訊磊晶廠聯亞(3081)表示，在高功率CPO普及以前，各架構對雷射端的要求並無明顯差異。此外，考量雷射產品驗證週期長，目前70mW/100mW CW Laser仍將是未來1~2年的市場主流，而一般資料中心導入CPO則待產業規格進一步整合。
聯亞指出，目前LPO、NPO、CPO等不同光通訊架構，對CW Laser的規格需求差異不大，尤其在高功率CPO真正大量導入以前，不論採用LPO或NPO，對雷射端的要求並沒有明顯差異。不過若未來CPO進一步走向較通用的規格，CW Laser功率需求可望明顯提高，目前觀察CPO需求的雷射功率可能在300mW以上。
針對CPO何時能在一般資料中心普及，聯亞指出，CPO牽涉的不只是光模組本身，包括整個資料中心內的伺服器、交換器到相關IC等，許多產業規格未完全定案，因此要看到一般資料中心廣泛採用CPO還需要一段時間。
在CW Laser功率持續提高下，對於InP基板是否將同步朝更大尺寸發展，聯亞則表示，雷射功率提高，單顆晶片尺寸確實跟著變大，因此採用較大尺寸基板生產較為合適，但實際量產並非單純將基板尺寸放大即可解決。
聯亞說明，除了基板本身之外，顯影設備也必須具備大尺寸製作能力，既有代工廠是否有相應製程也是關鍵，且全球InP基板4吋以上的產能比重仍非常低，因此高功率CW Laser朝大尺寸基板發展，要供應鏈共同配合，即使是技術及產品成熟的供應商，首次導入CSP時，驗證時間仍可能長達18個月以上。
聯亞表示，目前需求較高的70mW及100mW CW Laser在未來1~2年仍將維持主流地位，現階段NPO、LPO等架構發展對雷射端的直接影響有限，主要因光收發模組仍採外部熱插拔的方式，尚未影響光纖端的訊號傳輸。
