MoneyDJ新聞 2016-07-20 15:43:37 記者 陳苓 報導
三星電子的3D NAND flash霸主寶座出現危機？三星是第一家開發出3D NAND flash業者，技術遙遙領先，不過據傳日廠東芝(Toshiba)砸重金研發後，情勢一夕驟變，東芝即將超車三星，成為首家生產64層3D NAND flash的廠商。
BusinessKorea 20日報導，2013年三星電子率先製造3D NAND，東芝直到今天春天才加入生產行列，不過卻以光速追上對手，計畫今年第三季生產全球首見的64層3D NAND flash，比三星快了一季。
64層3D NAND flash極為重要，業界認為64層3D NAND flash的出現，代表平面NAND flash時代畫上句點。3D NAND flash採垂直堆疊，可提高記憶體容量和速度，表現優於平面NAND flash。
儘管東芝來勢洶洶，半導體專家指出，東芝和三星仍有技術差距，兩家公司最大不同在於控制閘(control gate)技術，三星採用TANOS、東芝使用SONOS。據稱東芝的技術便於多層堆疊，但是缺點在於製程較為複雜、生產力較低。
Thomson Reuters、時事通信社報導，東芝(Toshiba)統籌記憶體事業的副社長成毛康雄，7月6日在投資人說明會上表示，將強化3D Flash生產，目標在2017年度將3D產品佔整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。
日經、韓國先驅報(Korea Herald)7月6日報導，未具名消息指稱，東芝打算與Western Digital在未來三年攜手，對3-D NAND Flash投資1.5兆日圓(相當於146億美元)。根據雙方協議，東芝、Western Digital會在日本三重縣四日市的現有合資廠房新增晶片製造設備，大多數的資金會用來安裝3-D NAND的製造裝置。
韓聯社7月12日報導，南韓三星電子2016年Q1(2016年1-3月)NAND型快閃記憶體(Flash Memoy)全球銷售額創下歷史新高，Q1三星NAND Flash銷售額較去年同期成長3.1%至26.15億美元，增幅是整體市場(成長1.6%)的近2倍水準，市佔率也從前一季的42.0%上揚至42.6%。
排名第二位東芝(Toshiba)市佔率雖從24.0%大幅揚升至28.0%，不過與三星之間仍有高達14.6個百分點的差距；第三位為美國美光(Mircon)的18.8%、南韓SK Hynix則以10.6%的市佔率位居第4位。
＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。
