精實新聞 2012-02-23 11:51:23 記者 蔡承啟 報導
全球第2大NAND型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)23日發布新聞稿宣布，已利用19nm製程研發出全球最大容量128Gb的3-bit-per-cell NAND Flash，並已和合作夥伴SanDisk攜手於22日(美國當地時間)在美國舉行的國際固態電路大會(ISSCC；International Solid-State Circuits Conference)上進行發表。東芝表示，上述128Gb NAND Flash產品已於本(2)月進行量產出貨。
東芝表示，此次研發的NAND Flash產品因採用東芝自家研發的高速寫入回路設計及空氣間隙(air gap)結構，故以3-bit-per-cell的產品來看，其寫入速度達全球最快的18MB/s，以128Gb的產品來看，其晶片尺寸(Die size)達全球最小的170mm。東芝並表示，今後將持續推進NAND Flash的大容量化、高性能化，以藉此對大容量USB/記憶卡等儲存產品提供最適切的解決方案，持續引領NAND Flash市場。
