精實新聞 2013-03-19 10:29:00 記者 蔡承啟 報導
日本媒體日刊工業新聞19日報導，Panasonic計畫於2013年度末(2014年3月底)利用北陸工廠量產採用「氮化鎵(GaN)」的電源控制晶片產品，目標為在2018年度將GaN電源控制晶片事業營收提高至1,000億日圓的規模，成為替代系統整合晶片(System LSI)的半導體事業支柱。
據報導，Panasonic已藉由有機金屬化學汽相沉積(MOCVD)技術，在直徑6吋的矽基板上長成GaN，研發出採用自家結構的常關型(normally-off)GaN電晶體產品，且並成功抑制「電流坍塌現象(current collapse；指動作時電流減少、電阻增加的現象)」問題。
夏普(Sharp)甫於3月14日宣布，已研發出一款採用「氮化鎵(GaN)」、額定電壓為600V的功率電晶體(Power transistor)產品，並計劃於今(2013)年內利用福山工廠的6吋產線進行量產，藉此正式進軍GaN電源控制晶片市場。
據日經指出，夏普計劃以月產25萬個的規模開始量產上述GaN電源控制晶片產品，並計劃於2015年將其營收規模提高至100億日圓，而夏普也將成為繼富士通半導體(Fujitsu Semiconductor)之後第2家量產GaN電源控制晶片的日系廠商。
