MoneyDJ新聞 2026-09-07 13:18:52 郭妍希 發佈
隨著AI基礎建設投資加速，記憶體供給吃緊程度進一步升高。韓媒傳出，截至第三季，三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK hynix)的記憶體庫存已降至不到10天。分析師警告，隨著新一代高頻寬記憶體「HBM4」量產排擠傳統DRAM產能，明(2027)年甚至可能出現「可供銷售產品耗盡」的情況。
BusinessKorea報導，KB Securities 7日發表研究報告指出，全球超大規模雲端業者(hyperscalers)明年對AI基礎建設的投資預估已上修至1.3兆美元，年增60%。
記憶體在AI基礎建設支出的占比也快速攀升。KB Securities估計，記憶體明年將占AI基礎建設總投資57%，遠高於去年的14%；研調機構集邦科技(TrendForce)預估，占比甚至可能高達68%。
廠商轉而生產HBM4，是導致供應短缺的關鍵因素。報告指出，HBM4所需晶圓產能約為一般DRAM的三倍，在晶圓產能有限之下，HBM4全面擴產勢必壓縮傳統DRAM可用產能。KB Securities因此估計，明年DRAM與NAND型快閃記憶體的位元需求成長率，都將比供給成長率超過逾10個百分點。
根據報導，截至Q3，三星、SK海力士的記憶體庫存天數已剩下不到10天。KB Securities研究部主管Kim Dong-won指出，這已不只是需求復甦問題，市場可能面臨可銷售庫存耗盡的窘境。AI伺服器除了大量吸收HBM，也將同步拉動伺服器DDR5及企業級SSD需求，記憶體市場可能迎來「歷史性短缺」(historic shortage)。
MarketWatch甫於9月4日引述南韓科技新聞網站Electronic Times報導，美光據傳正在投入資金擴產HBM，想要追上SK海力士與三星的產能，以提升12層堆疊HBM4的供應能力。
J.Gold Associates首席分析師Jack Gold表示，儘管美光、SK海力士與三星均已宣布擴產計畫，但整個過程仍需耗時數年，這促使業者將現有產能從成本較低的記憶體轉向HBM，進一步加劇供應吃緊的情況。
D.A. Davidson董事總經理Gil Luria則表示，需求「目前已超過現有供給的兩倍，而且仍在快速成長」。因此，即使美光提高HBM產能，「在這段期間內，產能可能仍不足以滿足需求」。
(圖片來源：shutterstock)
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