MoneyDJ新聞 2017-05-31 09:44:37 記者 陳苓 報導
三星電子製程領先，率先量產18奈米DRAM，把同業拋在腦後。競爭對手美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)不甘示弱，紛紛砸錢要追上三星。
Nikkei Asian Review、BusinessKorea報導，三星是DRAM龍頭，製程領先對手1~2年，2016年下半首先量產18奈米DRAM，計畫今年下半推進至15奈米。IHS Markit估計，今年底為止，三星打算把18奈米DRAM的生產比重，提高至30%。業界人士說，三星會以利潤優先，不會擴產搶市，打亂價格。
三星一馬當先，DRAM第三大廠美光拼命追趕，計畫未來兩三年砸下20億美元，研發13奈米DRAM製程。美光在日本廣島廠增設無塵室設備，並購買了多項高價生產儀器。進入13奈米製程之後，同一片晶圓能分割成更多晶片，生產力將提高20%。美光已於今年第一季量產18奈米DRAM。
與此同時，SK海力士也準備在今年下半量產電腦用的18奈米DRAM，接著再投入行動裝置用的18奈米DRAM。SK海力士會優先提高21奈米製程良率，之後轉進20奈米、再轉向18奈米。SK海力士人員透露，該公司正在研發1y DRAM製程，但是還不確定量產時間。
在此之前，三星電子的南韓華城廠(Hwaseong)，即將擴產的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資3兆韓圜(約26.4億美元)提升DRAM產能。不過由於未來11線不再生產DRAM，產能一增一減之下，應該不至於衝擊DRAM供給。
韓媒etnews 2日報導，業界消息指出，三星半導體業務部門將擴充華城廠17線的DRAM產能，生產10奈米等級的DRAM。三星已告知設備廠擴產計畫，並在三月份向部分業者下單，估計投資金額約為2.5兆~3兆韓圜，完工後每月增產3.5萬片300公厘的矽晶圓，預定今年下半初步生產。
三星華城廠為綜合晶圓廠，17線生產DRAM、11線生產影像感測器和DRAM、16-2線生產3D NAND flash、S3線生產10奈米系統半導體。如今11線將轉為全數生產影像感測器CMOS和CIS，不再生產DRAM。三星為了彌補產能損失，決定擴大17線的DRAM產能。相關人士表示，此一投資是為了彌補11線產能縮減和製程微縮損失，對DRAM供需幾乎沒有影響。
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