MoneyDJ新聞 2024-05-21 12:48:44 記者 郭妍希 報導
三星電子(Samsung Electronics Co.)突然撤換半導體部門負責人、協助集團在AI蓬勃發展的環境中因應「晶片危機」(chip crisis)。
路透社、韓聯社等外電報導，三星週二(21日)突然指派三星SDI前執行長、記憶體部門前高層全永鉉(Jun Young-hyun)將接替慶桂顯(Kyung Kye-hyun)，成為三星最重要半導體部門的負責人。這起關鍵的人事變動將立即生效。慶桂顯會轉而帶領三星的未來營運規劃事業。
三星過去鮮少在年中置換高層，人事變動一般都是在年初完成。分析人士相信，三星此舉很可能是為了在高頻寬記憶體(HBM)等高階AI晶片追趕SK海力士(SK Hynix)等競爭對手。
三星透過聲明表示，全永鉉將運用管理專長，協助三星克服「晶片危機」。
BNK Investment & Securities分析師Lee Min-hee直指，三星晶片部門的競爭力持續落後，也錯失許多全球AI趨勢。
三星傳組HBM夢幻團隊拚輝達訂單
三星傳出已設立高頻寬記憶體(HBM)夢幻團隊，積極爭取輝達(Nvidia Corp.)供應訂單，盼能擊敗領頭羊SK海力士。
《韓國經濟日報》5月6日報導，三星的HBM團隊由約100名優秀工程師組成，首要任務是提升良率及品質來通過輝達測試。業界人士透露，輝達執行長黃仁勳(Jensen Huang)要求三星提升8層與12層堆疊HBM3E的良率及品質，以便敲定供應合約。HBM3E是效能最優秀的AI用DRAM。
三星目前把重心放在今(2024)年2月開發出的全球首款36GB 12層堆疊HBM3E模組，希望能在本(5)月通過輝達正在進行的品質測試。據傳，三星已備好生產線，打算擴產來滿足輝達需求。相較於8層堆疊的產品，12層堆疊HBM3E平均可將AI學習速度拉高34%。慶桂顯當時表示，「第一回合我們輸了，第二回合非贏不可。」
(圖片來源：三星電子)
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