三星人事地震 因應晶片危機、半導體大將遭撤換

2024/05/21 12:48

MoneyDJ新聞 2024-05-21 12:48:44 記者 郭妍希 報導

三星電子(Samsung Electronics Co.)突然撤換半導體部門負責人、協助集團在AI蓬勃發展的環境中因應「晶片危機」(chip crisis)。

路透社、韓聯社等外電報導,三星週二(21日)突然指派三星SDI前執行長、記憶體部門前高層全永鉉(Jun Young-hyun)將接替慶桂顯(Kyung Kye-hyun),成為三星最重要半導體部門的負責人。這起關鍵的人事變動將立即生效。慶桂顯會轉而帶領三星的未來營運規劃事業。

三星過去鮮少在年中置換高層,人事變動一般都是在年初完成。分析人士相信,三星此舉很可能是為了在高頻寬記憶體(HBM)等高階AI晶片追趕SK海力士(SK Hynix)等競爭對手。

三星透過聲明表示,全永鉉將運用管理專長,協助三星克服「晶片危機」。

BNK Investment & Securities分析師Lee Min-hee直指,三星晶片部門的競爭力持續落後,也錯失許多全球AI趨勢。

三星傳組HBM夢幻團隊拚輝達訂單

三星傳出已設立高頻寬記憶體(HBM)夢幻團隊,積極爭取輝達(Nvidia Corp.)供應訂單,盼能擊敗領頭羊SK海力士。

《韓國經濟日報》5月6日報導,三星的HBM團隊由約100名優秀工程師組成,首要任務是提升良率及品質來通過輝達測試。業界人士透露,輝達執行長黃仁勳(Jensen Huang)要求三星提升8層與12層堆疊HBM3E的良率及品質,以便敲定供應合約。HBM3E是效能最優秀的AI用DRAM。

三星目前把重心放在今(2024)年2月開發出的全球首款36GB 12層堆疊HBM3E模組,希望能在本(5)月通過輝達正在進行的品質測試。據傳,三星已備好生產線,打算擴產來滿足輝達需求。相較於8層堆疊的產品,12層堆疊HBM3E平均可將AI學習速度拉高34%。慶桂顯當時表示,「第一回合我們輸了,第二回合非贏不可。」

(圖片來源:三星電子)

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