MoneyDJ新聞 2024-03-28 13:17:40 記者 郭妍希 報導
三星電子(Samsung Electronics Co.)今(2024)年的高頻寬記憶體(HBM)產能計畫比去年擴增三倍，希望能藉此取得市場領導地位。
《韓國經濟日報》27日報導，三星執行副總裁兼DRAM產品與科技部長Hwang Sang-joong 26日在加州聖荷西(San Jose)舉行的《Memcon 2024》會議表示，預測今年三星的HBM產能有望年增2.9倍。這高於三星稍早於2024年拉斯維加斯消費電子展(CES 2024)預測的2.4倍。
Hwang指出，第三代HBM2E及第四代HBM3量產後，今年上半將開始大量生產12層的第五代HBM，以及使用32Gb晶粒的128 GB DDR5記憶體。藉由這些產品，三星期望能在AI時代提升高效能、高容量記憶體的市場地位。
三星並在會議上發表HMB技術路線圖，預測2026年HBM出貨量將比2023年高13.8倍，2028年HBM年產出將進一步比2023年多23.1倍。
三星最新HBM3E 12H晶片已開始送樣，預計今年上半就可量產。
這場會議的參與者包括SK海力士(SK Hynix Inc.)、微軟(Microsoft)、Facebook母公司Meta Platforms、輝達(Nvidia)及超微(AMD)。
三星半導體事業部門負責人桂顯(Kyung Kye-hyun)上週才剛表示，公司正在開發次世代AI晶片「Mach-1」，已跟Naver Corp.敲定協議、預計今年底開始供應，合約金額上看1兆韓圜(7.52億美元)。Naver希望藉由跟三星的供應協議，大幅降低對輝達(Nvidia Corp.)的依賴。
華爾街日報3月26日報導，根據SemiAnalysis最新估計，SK海力士的HBM位元市占約為73%，三星居次、達22%，而美光(Micron)排名第三、約為5%。
(圖片來源：三星電子)
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