MoneyDJ新聞 2026-10-08 12:35:56 萬惠雯 發佈
碳化矽（SiC）產業在歷經近年價格快速下滑後，在中國極度內捲、產能退出，AI帶動下，市場發展正迎來新的篇章。業界指出，隨中國供應鏈快速擴產，SiC基板價格大幅下降，雖對既有業者帶來價格壓力，卻也讓SiC與傳統矽（Silicon）功率元件的成本差距快速縮小，逐步跨過應用的「甜蜜點」；另一方面，AI資料中心(AIDC)功率需求急速攀升，供電架構朝800V高壓發展，也為SiC開啟電動車之外的第二條成長曲線。
漢磊(3707)副總經理陳彥彰指出，近年中國SiC供應鏈競爭激烈，目前全球相當高比例的SiC基板來自中國，價格也快速下滑。以近10個季度來看，6吋SiC基板價格約由人民幣4,000元降至1,500元；若將時間拉長至近3年，6吋基板價格降幅約75%，8吋更接近90%。過去SiC雖具有較佳性能，但成本偏高，使許多應用仍以Silicon IGBT為主，而隨材料價格下滑，SiC的Performance/Cost逐步改善，部分應用已開始進入更具競爭力的區間。
值得注意的是，SiC降價帶來的影響已不只侷限於電動車。漢磊觀察，除了EV、再生能源、儲能、AI Power及充電等既有市場外，近期已有客戶開始將SiC評估導入綠色家電等應用。換言之，中國供應鏈擴產雖讓SiC產業承受價格競爭與痛苦，但若沒有成本快速下降，許多過去受限於價格而無法導入的市場也不容易打開；一旦跨過成本甜蜜點，SiC應用範圍擴大，反而有機會帶動需求量加速成長。
而在應用向下擴散的同時，AI則正將SiC推向另一個高功率、高電壓的新市場。業界指出，AI競賽已不再只是GPU算力競爭，隨GPU功耗快速提高，Power Delivery、Cooling及整體電源架構逐漸成為AI系統擴充的關鍵瓶頸，資料中心供電也由過去12V、48V持續往400V、800V演進，其中SiC具備高耐壓、高功率及高效率特性，在前端電源轉換的角色日益重要。
800V架構也將進一步改變AI機櫃內部的DC-DC設計。意法半導體指出，市場目前仍在評估不同Power Conversion(功率轉換)路徑，包括800V轉54V、再轉12V及Vcore的多級架構，以及縮減轉換級數、以12V或6V作為Intermediate Bus的方案，公司目前亦已針對800V轉50V、12V及6V等不同Prototype進行測試。隨轉換電壓提高、功率密度增加，高壓端SiC與高頻端GaN的分工可望更加清楚，其中SiC主要推進電壓與Power Frontier(電力極限)，GaN則著重高頻與電力密度。
除了材料降價，SiC本身的製程演進也持續朝降低成本前進。漢磊SiC技術已由Gen 2一路推進至Gen 5，透過縮小Cell Pitch(單元間距)、Contact(接觸點)及Channel Engineering(通道工程)等方式降低比導通電阻（RSP）並縮小Die Size，增加單片晶圓可產出的Die數；公司亦持續評估Substrate Engineering，希望進一步改善元件性能。另一方面，產業由6吋走向8吋，也被視為下一階段降低SiC單位成本的重要方向。
漢磊指出，目前8吋SiC基板價格雖仍約為6吋的兩倍，但後續Epi及Foundry製程多採Single Wafer Process，成本並不會等比例增加，加上8吋晶圓面積增加，可降低大尺寸Die在Wafer Edge的損耗，因此隨量產規模擴大，8吋SiC單位成本有機會低於6吋。公司目前8吋SiC已逐步進入量產準備階段，也將持續擴大產能。
整體來看，SiC下一階段的成長結構正從過去高度依賴電動車，轉向更多元的需求組合：一端隨AI資料中心朝800V、SST（固態變壓器）等高壓、高功率架構發展，切入更高價值的電力基礎建設；另一端則受惠基板降價、製程微縮及8吋化降低成本，逐步滲透過去由Silicon IGBT主導的應用。當高階市場向上延伸、大眾應用同步向下擴散，SiC產業的下一波成長動能，也有望由單一EV市場走向AI、能源、工業及消費應用多點開花的新階段。
而在相關廠商部分，全球碳化矽領導廠商Wolfspeed宣佈，獲得美國戰爭部(Department of War)提供15億美元、期限30年的有條件貸款，以強化美國本土先進半導體與特殊材料供應鏈，股價也以大漲回應。目前國內著墨碳化矽SiC相關業者，包括漢磊以及子公司嘉晶(3016)、環球晶(6488)、即將登錄興櫃的盛新(6930)等。
