精實新聞 2012-04-12 07:04:03 記者 蔡承啟 報導
日經新聞12日報導，因半導體廠商看好智慧型手機需求而紛紛擴增相關電子零件產能，導致零件供應量擴增幅度高於需求增加幅度，造成NAND型快閃記憶體(Flash Memory)、DRAM等智慧機用電子零件價格正持續走跌。報導指出，因東芝等NAND Flash廠商已著手量產更低奈米(nm)等級的產品，加上部份廠商將生產重心自收益性不佳的PC用DRAM轉向NAND Flash，導致NAND Flash供應量急增，故3月份出貨給記憶卡廠商的32Gb NAND Flash價格為3.8美元/個，較2月相比下滑了9%，64Gb產品價格也下滑了10%。
報導指出，在DRAM部分，每台行動裝置搭載的DRAM數量雖呈現增加態勢，惟因DRAM廠紛紛擴增行動裝置用DRAM產量(減少PC用DRAM產量)，故並未出現供應不足情況，因此4-6月4Gb DRAM出貨價格大多落在5-7美元/個，較前季(1-3月)下滑了10-20%。報導並指出，因半導體廠商為了擴大市佔率，故料不會變更當前採行的增產分針，因此預估今後數個月智慧機用零件料將持續呈現供過於求的局面。
朝日新聞於4月4日報導，因智慧型手機等行動裝置日益普及，帶動NAND Flash需求將持續擴大，故東芝計畫於今(2012)年夏天動工興建新廠房，擴增NAND Flash產能，以藉此追擊龍頭廠三星電子；該座NAND Flash新廠房預計將於2013年量產。
南韓媒體《每日經濟新聞(Maeil Business Newspaper)》曾於3月22日報導指出，三星NAND Flash新廠將坐落於中國大陸陝西省西安市。三星曾於去年12月6日表示，這座新廠預定在2012年動工興建，到了2013年便可望投產。Thomson Reuters於4月2日報導指出，三星對上述西安NAND Flash廠的投資額預估將達70億美元。
