精實新聞 2012-12-10 11:51:11 記者 蔡承啟 報導
全球第2大NAND型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)10日發布新聞稿宣佈，已針對搭載於智慧型手機/平板電腦的行動處理器(mobile processor)用快取記憶體(cache memory)研發出全球最省電的新型非揮發性磁電阻式隨機存取記憶體「STT-MRAM(spin transfer torque magnetoresistive random access memory)」。東芝表示，目前快取記憶體主要採用SRAM，而新研發的新型STT-MRAM為全球首款可較SRAM更省電的MRAM產品。
東芝表示，因智慧手機持續朝高功能化演進，造成快取記憶體容量變大，處理器耗電力也因此變大，故為了降低處理器耗電力，大多半導體業者計劃利用STT-MRAM來替代SRAM，惟因現行的STT-MRAM在動作狀態時需要非常大的電力，導致其耗電力反而遠高於SRAM，惟東芝新研發的新型STT-MRAM的耗電力可降至現行STT-MRAM的約1/30，而搭載該新型STT-MRAM的行動處理器耗電力可降至現行產品(採用SRAM)的1/3。
東芝表示，之後將持續改良此次新研發的新型STT-MRAM，並將加快研發腳步，以早期將其進行量產。
據Thomson Reuters報導指出，MRAM即使切斷電源資料亦不會消失，同時具備讀取快速、大容量等特性，目前三星電子等多家企業也正進行相關研發。
