精實新聞 2013-02-20 18:29:39 記者 王彤勻 報導
晶圓代工業者GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)今(20日)宣佈，已將公司的55奈米低功率強化(LPe)製程技術平台持續向上提升，推出具備ARM合格的新一代記憶體和邏輯IP解決方案的55奈米LPe 1V。格羅方德指出，55nm LPe 1V為業界首創唯一支援ARM 1.0/1.2V實體IP資料庫的先進製程節點，可讓晶片設計人員使用單一製程，在單一系統單晶片(SoC)下支援兩種操作電壓。
GLOBALFOUNDRIES產品行銷部副總裁Bruce Kleinman表示，這款55nm LPe 1V產品最主要的優點是，無論是要設計1.0V或1.2V的電源選項，都能使用相同的設計資料庫；也就是說，只需採用同一套的設計規則和模式，無需額外的光罩層或特殊製程。如此不只可降低成本，亦能提高設計彈性，更能維持一致的電源和最佳化功能。
GLOBALFOUNDRIES說明，此款55nm LPe 1V採用ARM的1.0V/1.2V標準晶胞和記憶體編譯器，方便設計人員將速度、電源及面積等設計最佳化，尤其對在系統單晶片解決方案的設計上，過去受到電力限制的設計人員來說更為有利。
GLOBALFOUNDRIES也強調，公司推出的先進55nm LPe製程，為結合ARM所提供完整經過矽晶片驗證的8-track、9-track和12-track資料庫平台，加上高速和高密度的記憶體編譯器。
ARM實體IP部門行銷副總John Heinlein 博士則表示，1V和1.2V作業的整合，加上支援級的位移邏輯，將是低功率、高效能和小晶片面積的最佳組合。此外，雙電壓域特性支援，搭配Artisan新一代記憶體編譯器架構，相較於前一代解決方案，將能減少 35% 以上的動態及漏電功率。若以55nm LPe 1V而言，尤其適用大量、採電池供電的行動消費性裝置，還有各種環保或節能產品。產品開發套件和電子設計自動化工具現已供應，同時也提供晶圓共乘(MPW Shuttle)。
