MoneyDJ新聞 2016-11-18 08:29:22 記者 蔡承啟 報導
日經新聞18日報導，背後有中國政府撐腰的半導體大廠長江存儲科技已和美國美光(Micron)就技術合作展開協商，長江存儲目標藉由美光的技術於2019年量產使用於智慧手機等用途的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)，而此恐改變現行由日美韓廠商寡佔的全球NAND Flash勢力版圖。
報導指出，長江存儲副董事長、也擔任長江存儲大股東「國家集成電路產業投資基金(大基金)」總裁職務的丁文武17日接受採訪時表示，「希望能導入NAND Flash新技術，因此正和美光進行協商，且希望能在明年談出個結果」；丁文武並指出，「除美光之外，也對東芝等海外大廠打開協商大門、不排除進行合作的可能性」。但半導體業界關係人士認為，「長江存儲的合作協商優先順序以美光較高」。
據報導，長江存儲是以中國紫光集團的記憶體部門為母體、並獲得大基金等出資所設立，計畫砸下240億美元興建全球最大規模NAND Flash工廠，預計於2019年開始生產，目標在2020年將月產能提高30萬片(以12吋晶圓換算)、2030年進一步擴大至100萬片。
根據IHS Technology的資料顯示，2015年三星電子於全球NAND Flash市場拿下30.8%的市佔率(以金額換算、以下同)位居首位，其次為東芝(Toshiba)的19.4%、Western Digital(WD)的15.6%、美光的14.7%、SK Hynix的11.8%、英特爾(Intel)的6.8%。
日經新聞9月11日報導，在中國境內，其國內外半導體廠商將進行大規模增產，包含紫光集團計畫興建的巨大記憶體工廠在內，預估中國境內最少有10座半導體工廠的興建計畫，預估截至2020年為止的5年內，中國境內的半導體總投資額將較過去5年增加一倍至5兆日圓的規模。
報導指出，紫光集團旗下擁有晶圓代工廠武漢新芯(XMC)，且雙方計畫攜手在武漢市砸下2.4兆日圓興建記憶體工廠，逐步擴增使用於智慧型手機的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)產能、且之後也計畫將生產項目擴大至DRAM。除中國廠商之外，外資廠商也加快在中國的投資腳步。美國英特爾計畫提高大連市記憶體工廠產能、南韓三星電子可能在中國進行追加投資、台灣台積電(2330)也計畫在南京建廠。
＊編者按：本文僅供參考之用，並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦，讀者務請運用個人獨立思考能力，自行作出投資決定，如因相關建議招致損失，概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。
