《美股主題週報》高密度/頻寬記憶體—MU、TSM、AMAT

2026/10/12 15:53

MoneyDJ新聞 2026-10-12 15:53:39 數位內容中心 發佈

ChangXin Memory Technologies

10月11日,ChangXin Memory Technologies表示4F²DRAM架構研發取得新進展,並預告年底前推出結合4F²與混合鍵合(Hybrid Bonding)的新一代DDR5 RDIMM。原始資料並稱,該產品路線進度較三星同類架構提前2年。

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Micron Technology(MU.US)

Micron Technology本週更新2027會計年度展望,預估第1季營收615億美元,且超過75%的2027年產出已獲客戶承諾或分配。公司並表示大部分2027年高頻寬記憶體(HBM)位元供應協議已完成,價格顯著高於前一年。

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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company(TSM.US)

Taiwan Semiconductor Manufacturing Company在原始資料中被點名自HBM4起切入客製化base layer與記憶體/GPU協同封裝兩個關鍵環節。以SK hynix的HBM4為例,base layer由其與NVIDIA共同設計並交由台積電製造,最終封裝也在台積電完成。

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Applied Materials(AMAT.US)

Applied Materials本週宣布與Intel合作加速下一代電晶體、互連導線與先進封裝技術開發,並將Intel列為EPIC Center創始夥伴。原始資料提到,Applied Materials今年相關研發中心投資規模為50億美元。

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Samsung Electronics

10月8日,Samsung Electronics公布2026年第3季初步業績,營業獲利約800億美元,較去年同期暴增近九倍,營收約195兆韓元、年增127%。原始資料指出,這是三星首次單季營業獲利突破100兆韓元。

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SK hynix(SKHY.US)

原始資料指出,SK hynix被描述為掌握超過一半HBM市場,且生產超過一半當前世代HBM4,供應NVIDIA高階資料中心GPU,並正推進HBM4E與HBM5。其後續財報被視為檢視HBM供需緊張是否延續的觀察點。

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