精實新聞 2013-06-10 18:23:30 記者 王彤勻 報導
矽智財服務商力旺(3529)與聯電(2303)今(10日)共同宣布，雙方將擴大技術合作，將力旺獨特開發之OTP (One-Time-Programmable embedded non-volatile memory,單次可程式嵌入式非揮發性記憶體)及MTP(Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory,多次可程式嵌入式非揮發性記憶體)技術，廣泛佈建於聯電0.18微米至28nm(奈米)世代之製程平台，佈建範圍橫跨成熟與先進製程，不僅可提供客戶全方位之嵌入式非揮發性記憶體解決方案，並展現聯電掌握尖端製程優勢，積極擴展eNVM全方位技術版圖之決心。
聯電表示，與力旺自2006年開始即展開長期的合作，聯電將力旺單次可程式嵌入式非揮發性記憶體技術成功佈建於其0.18微米以下之製程平台，至今已創造許多佳績。而力旺之eNVM技術應用相當廣泛，涵蓋智慧型手機與平板電腦之電源管理晶片、高階液晶顯示器驅動晶片、觸控面板控制晶片、電源計量晶片、感測器控制晶片、音訊編解碼晶片與近場無線通訊晶片等各項主流消費性電子產品領域。
聯電強調，此次雙方擴展合作範圍，聯電除擴增採用力旺之OTP技術，更擴大導入MTP技術領域，將能以更完整之嵌入式非揮發性記憶體製程平台，強化技術服務支援廣度，滿足更多不同客戶需求。聯電指出，搭配聯電在先進製程的佈局，亦已為力旺在28、40奈米之製程平台，保留了絕佳的參與位置與發展舞台。
力旺近年來致力於全方位的可程式嵌入式非揮發性記憶體之技術開發，目前產品線包括NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoFlash、NeoEE等系列性技術與矽智財，為業界少見能夠於OTP及MTP嵌入式非揮發性記憶體技術領域，提供全方位完整佈局之矽智財廠商。
針對此技術研發與授權協議，聯電負責矽智財與設計支援的簡山傑副總表示，聯電很高興擴展了與力旺自2006年以來的長期夥伴關係。而聯電也樂見力旺的OTP與MTP技術，加入28奈米製程平台，並進一步提供更多特殊製程選擇予客戶。
力旺總經理沈士傑博士則表示，很高興能與身為長期重要策略合作夥伴的聯電加深合作關係，秉持embedded wisely, embedded widely的核心精神，將公司核心技術全方位導入聯電之各項製程平台，整合雙方之專業分工與研發能量，提供IC設計客戶性能卓越且品質可靠之嵌入式非揮發性記憶體平台，協助客戶持續掌握市場契機。
展望未來，雙方看好，力旺與聯電的合作將能強化彼此競爭優勢，以更多元的嵌入式非揮發性記憶體技術以及高效能之製程平台，擴展各製程世代應用領域的廣度與深度，配合客戶不同產品應用與容量的設計需求，提供更完整且全方位的嵌入式非揮發性記憶體技術與生產服務，達成矽智財供應商、晶圓代工廠以及客戶三贏的目標。
