MoneyDJ新聞 2026-10-05 13:18:34 郭妍希 發佈
隨著中國記憶體廠長鑫存儲(CXMT)與三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron Technology)的DRAM技術差距快速縮小，科技市調機構TechInsights認為，中國業者已不能再被視為「跟隨者」，而是直接競爭者。儘管CXMT同步擴產可能增加中長期供給競爭，但AI需求急升，目前記憶體供給僅能滿足約85%需求，高檔價格環境預料仍可延續3至4年。
南韓科技媒體《THE ELEC》5日報導，TechInsights半導體事業部資深副總裁Jeongdong Choe受訪時指出，CXMT近期宣布量產第五代G5 DRAM製程平台，主動區(Active Area)半間距(half-pitch)縮至11.95奈米。CXMT原先內部藍圖將G5設定為14奈米級，但最新產品資訊顯示已推進至12至13奈米，即使缺乏極紫外光(EUV)微影設備，仍可利用深紫外光(DUV)雙重(double-patterning)或四重曝光(quadruple-patterning)技術微縮。若CXMT公布資訊屬實，相當於再跳過一至兩個製程世代。
Choe表示，若只看技術、不考慮經濟效益或良率，中國記憶體廠已是競爭者而非追隨者。CXMT並計畫將市占率由12%至13%提高至20%至25%，在上海、北京規劃多座晶圓廠。
不過短期市場仍供不應求。Choe估計，目前DRAM供給短缺約10%至12%，NAND也面臨類似缺口，DDR、LPDDR及HBM等應用價格已上漲逾80%。
他指出，新產能預計明(2027)年下半年開始影響供給，至第三或第四季，供給可望提高至需求的90%至95%。考量市場要達到供需平衡，通常需要供給比需求高出2%至3%，因此記憶體市場很可能仍將維持由賣方主導的格局。
Choe指出，「供給達到需求的100%，嚴格來說仍屬供應吃緊；真正達到供需平衡，供給必須達到需求的102%至103%。然而，關鍵問題在於，供應商未來2至3年內是否連需求的100%都能滿足。」
他說，AI記憶體需求，尤其是高頻寬記憶體HBM，並非呈線性成長，而是呈指數級攀升。相較於過去每年約1.2倍至1.4倍的成長幅度，短期需求正暴增至4倍至6倍。「面對如此巨大的需求結構轉變，每家公司僅新增一、兩座晶圓廠，將不足以滿足需求。」
Choe預期，未來3至4年價格雖可能波動，但整體水準仍將明顯高於過去。正在興建的晶圓廠約一年後開始貢獻產能，屆時價格可能小幅回檔，但由於基準價格仍處高檔，產業獲利可望維持穩健。
(圖片來源：Shutterstock)
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