精實新聞 2013-07-18 07:58:37 記者 蔡承啟 報導
日本媒體日刊工業新聞18日報導，全球第2大NAND型快閃記憶體(Flash Memory)廠商東芝(Toshiba)計劃於2014年開始對被視為是次世代記憶體的「磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)」進行樣品出貨。據報導，東芝目前正和南韓半導體大廠SK Hynix攜手研發MRAM，之後將會利用SK Hynix的工廠進行量產。
報導指出，除了MRAM之外，東芝也將持續對NAND Flash產品進行細微化研發，並計劃於2014年開始量產採用16nm左右製程的產品。報導指出，因採用現行的生產方式已讓NAND Flash的細微化面臨瓶頸，故東芝計劃在預計於明年啟用的四日市工廠新廠房內導入自家積層技術、生產3D產品，以藉此為NAND Flash延續壽命。
