MoneyDJ新聞 2016-01-11 09:31:17 記者 蔡承啟 報導
南韓三星電子(Samsung)領先全球同業、於2014年10月搶先量產3D架構的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)產品，不過三星競爭對手東芝(Toshiba)也拚了，除3D Flash專用廠房於2015年啟用之外，還傳出將海砸4,000億日圓倍增3D Flash產能。
日本媒體日刊工業新聞8日報導，東芝計畫攜手SanDisk在日本三重縣四日市市興建一座NAND Flash新工廠，最快將在2017年度啟用量產，目標為藉此將採用3D架構的NAND Flash產能提高至現行2倍水準。據報導，上述NAND Flash新廠將坐落在現行四日市工廠附近，預計將在2016年度動工興建，投資額將超過4,000億日圓，設備投資費用將由東芝和SanDisk均攤。
報導指出，3D Flash需求看俏，東芝位於四日市工廠內的3D Flash專用廠房甫於2015年啟用，而東芝計畫藉由興建上述新工廠，來確保有充足的3D Flash產能、以因應市場需求。據報導，3D Flash設備投資競爭激烈，南韓三星電子已利用中國西安工廠量產3D Flash，美國美光(Micron)、南韓SK Hynix也已導入生產。
東芝去年10月21日宣布，於2014年9月動工進行改建的NAND Flash生產據點「四日市工廠」第2廠房(以下稱新第2廠房)部分工程已完工，且東芝已和SanDisk簽訂正式契約，將攜手對新第2廠房進行設備投資。
東芝指出，上述新第2廠房將在2015年度第4季(2016年1-3月)開始進行生產，且期望藉由該廠房建構3D NAND Flash的生產體制，藉此加快2D NAND Flash產品轉換至3D NAND Flash的速度。東芝表示，該新第2廠房所有改建工程預計將在2016年上半年內完工，而其具體產能、生產計劃等細節將待評估市場動向後再行決定。
三星於2014年量產的3D NAND Flash產品為垂直堆疊32層，但東芝已研發出超越三星的製造技術、可堆疊48層。
東芝和SanDisk去年8月3日宣布開發出48層的3D NAND Flash。BGR報導，東芝和SanDisk採用15奈米製程，打造出新3D NAND Flash，據稱速度為業界之冠，並更具能源效益。儘管東芝新聞稿未提及可能客戶，BGR稱，假定蘋果(Apple)沿用舊有供應商，這麼一來新的3D NAND Flash或許將用於iPhone 7。
日本媒體共同通信去年12月18日報導，被東芝視為營運重建支柱的半導體部門新整編方案內容曝光，據悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進行生產的「NAND型快閃記憶體(Flash Memory)」事業分拆出來，並考慮讓其上市、籌措研發所需的巨額資金
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報告顯示，2015年Q3三星NAND Flash市占高居首位，不過營收季減1.0%至26.81億美元，市占率也自2015年Q2的32.6%下滑至31.5%；東芝NAND Flash營收季增10.2%至17.44億美元，市佔率自19.1%揚升至20.5%；另外，SanDisk以15.4%的市占率位居第3位，其次分別為美光的13.8%、SK Hynix的10.9%、英特爾(Intel)的7.8%。
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