漢磊（3707）21日宣布推出新一代Gen5 SiC DMOS技術平台，搶攻電動車、AI資料中心及綠能高壓應用。新平台將單元間距（Cell Pitch）微縮至3.3 μm，單位面積導通電阻降至2.2～2.3 mΩ-cm²，導通損耗較前代降低12％，整體元件效能提升約15％。
