MoneyDJ新聞 2026-01-21 10:30:47 數位內容中心 發佈
聯電(2303)持續以28奈米以上成熟製程及多項特殊製程為營運核心，包含嵌入式記憶體（eFlash）、高壓製程、顯示驅動IC（DDI）、影像感測器（CIS）與車用相關產品，這些分項占比提升，被法人視為穩定接單來源；公司也與多家夥伴合作，嘗試將高價值矽光子及3DIC相關應用納入業務版圖。
聯電與比利時微電子研究中心imec簽署矽光子技術授權，取得iSiPP300製程技術，規劃於2026至2027年展開風險試產，目標建置12吋矽光子平台，定位為高頻寬光互連解決方案供應者。公司並與聯詠（3034）與Qorvo等合作，嘗試以3DIC封裝切入智慧型手機供應鏈之驅動IC與天線模組。
法人與市場注意到成熟製程報價有上升跡象，市場傳出8吋晶圓代工報價可能調升5%至20%，若價格回溫將有助於毛利率改善。聯電公告，要求供應鏈於2026年起下修成本，範疇涵蓋矽晶圓、化學品與耗材等，以提升整體毛利彈性。
技術與車用應用方面，聯電與SST（Microchip子公司）合作，將SuperFlash第四代嵌入式記憶體（ESF4）導入28HPC+製程並量產，取得Automotive Grade 1（AG1）驗證，適用於高耐溫與車用韌體更新需求，顯示公司在車用控制器市場獲得技術認可。
公司公開資料顯示，聯電正透過產品組合調整與技術授權方式，嘗試提升高毛利產品比重，同時以成熟製程穩定營收基礎。就財務面，市場關注毛利率能否在價格回溫與成本壓縮下維持或改善，以及矽光子與特殊製程能否在試產後對營收結構產生貢獻。
