精實新聞 2012-02-24 12:33:04 記者 蔡承啟 報導
Panasonic 23日發布新聞稿宣布，已研發出處理速度(寫入速度)達全球(業界)最高的新型ReRAM(可變電阻式記憶體)產品；ReRAM為一種即便關掉電源數據資料也不會消失的記憶體。Panasonic指出，該公司利用0.18μm製程試作出雙層交叉開關矩陣(Cross-Point)構造，成功將ReRAM記憶容量提升至8Mbit、處理速度達全球最快的443MB/s，而藉由此次的新研發，可望實現被視為非揮發性記憶體次世代產品的ReRAM的高速化及大容量化。
Panasonic指出，現行非揮發性記憶體主流產品為NAND型快閃記憶體(Flash Memory)，惟其處理速度僅10MB/s；另外，現行的1T1R型ReRAM產品的處理速度雖達200MB/s，惟卻難於進行大容量化。Panasonic指出，上述Cross-Point型ReRAM的記憶格(Memory Cell)密度可達1T1R型ReRAM的10倍。Panasonic表示，已於22日在美國舉行的國際固態電路大會(ISSCC；International Solid-State Circuits Conference)上發表了上述新型ReRAM。
日經曾於22日報導指出，Panasonic已研發出一款處理速度可達NAND Flash 20倍的次世代記憶體「ReRAM」。報導指出，Panasonic計畫將此次所新研發的ReRAM搭載於需要處理大量情報的智慧型手機或平板電腦上，並計劃於今後2-3年內將其實用化(量產)。
