MoneyDJ新聞 2021-05-18 11:33:04 記者 郭妍希 報導
南韓媒體傳出，三星電子(Samsung Electronics Co.)決定赴美國德州興建一座5奈米晶圓代工生產線、預定今(2021)年第三季破土，這會是三星首度在國外打造採用極紫外光(EUV)微影設備的生產線。
韓媒etnews 18日引述業界消息報導，三星對德州奧斯汀(Austin)5奈米廠的投資規模將達180億美元(相當於20兆韓圜)，目標是在2024年開始運作。三星可能會等到5月21日才會對外宣布消息，屆時將是南韓總統文在寅、美國總統拜登(Joe Biden)於華盛頓特區舉行首場峰會的日子。
目前三星的奧斯汀晶圓代工廠主要採用14奈米製程技術。三星決定在美國打造EUV晶圓代工生產線，除了是要滿足美國科技巨擘的需求外，也是為了回應拜登增加美國本土半導體製造產能的計畫。
不過，三星一名發言人表示，該公司尚未對赴美打造EUV晶圓代工生產線做出最終決定。
三星晶圓代工廠的美國客戶包括特斯拉(Tesla Inc.)、高通(Qualcomm Inc.)及輝達(Nvidia Corp.)。三星已於奧斯汀晶圓代工廠附近買下一處土地，面積相當於140個足球場。三星此舉被視為擴充美國晶圓廠的預備動作。
2027年台灣晶圓市占下探40%、美國上升至24%
在台積電(2330)、三星電子決定擴充美國晶圓代工產能的影響下，市調機構估計，2027年美國的晶圓製造市占率將拉高至24%，台灣則可能下滑至40%、仍居全球之冠。
Counterpoint Research 5月13日發表研究報告指出，2021~2027年，全球晶圓代工廠、IDM廠10奈米(及以下)的先進邏輯(非記憶體)IC產能，預料會出現21%的年複合成長率(CAGR)。其中，美國市占率將從18%攀升至24%，台灣則會從55%下降至40%，南韓也會從20%下降至17%。不過，台灣、南韓2027年的合併市占率仍會達到57%，遠多於全球其他地區。
該機構相信，在美國晶片製造法案(Chips for America Act)的推動下，美國本土及外國廠商都會赴美投資，進而使該國2027年的晶圓產能市佔率拉高至21%，超越南韓，且多數製程都會是5奈米、英特爾(Intel Corp.)則會是7奈米。
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