MoneyDJ新聞 2026-09-01 17:13:37 周佩宇 發佈
三星電子揭露下一代AI記憶體與儲存產品布局，除今(2026)年5月已開始出貨12層HBM4E樣品，並著手開發HBM5外，也進一步推進3D記憶體架構zHBM及3D儲存方案zNAND-O。其中，zHBM目標較HBM4E最高提升8倍效能、每瓦效能提升3倍；鎖定裝置端AI應用的zNAND-O則規劃2028年開始推出樣品。
三星電子記憶體產品規劃部門副總裁Jangseok Choi(附圖)於SEMICON Taiwan 2026記憶體高峰論壇表示，AI運算持續推升記憶體容量、頻寬及能源效率需求，三星正從既有2.5D架構進一步朝垂直3D整合發展，並以容量、利用率、頻寬及效率四大方向推進下一代產品。
在HBM產品方面，三星2026年5月開始出貨12層HBM4E樣品，若單一GPU配置4個HBM4E堆疊，系統頻寬最高可達16 TB/s；相較HBM4，HBM4E每瓦效能提升20%，熱阻降低10%。下一代HBM5目前也已著手開發，目標較HBM4E效能提高2倍、每瓦效能再提升20%，熱阻降低20%。
三星同時開發新一代zHBM架構，有別於傳統HBM將記憶體與處理器並排配置，zHBM將記憶體直接堆疊於處理器上方，以縮短資料傳輸距離。三星設定zHBM相較HBM4E最高可提升8倍效能、每瓦效能提升3倍，熱阻則降低75%至90%。
NAND方面，三星最新V10技術導入新的鍵合技術，位元密度較前一代提高58%、I/O速度提升33%，功耗降低25%至26%；進一步發展的zNAND-O則結合V10 BV-NAND及TSV技術，將多個V-NAND晶片垂直堆疊，並透過UCIe介面與NPU整合於單一封裝。
三星指出，zNAND-O主要鎖定裝置端AI需求，位元密度可達DRAM的10倍，讀取頻寬則為傳統NAND Flash的7倍，預計2028年開始推出樣品。隨Agentic AI對即時回應及資料處理能力要求提高，公司認為記憶體與運算晶片由2D、2.5D走向3D整合將成為後續架構發展方向。
(圖:公司提供)
