MoneyDJ新聞 2026-10-13 07:48:50 郭妍希 發佈
中國長鑫存儲(ChangXin Memory Technologies，簡稱CXMT)在可儲存更多資料的新型晶片研發上取得進展，消息傳來衝擊美光(Micron Technology)等美國記憶體概念股走弱。
《南華早報》12日引述長鑫存儲（CXMT）的公司聲明報導，長鑫存儲總裁曹侃宇週末在上海一場產業活動上向與會者表示，公司計劃於今(2026)年底前推出新款伺服器記憶體產品。
這項所謂的「4F平方」設計，是將每個記憶體儲存單元配置在面積相當於4倍F平方的區域內，其中F代表半導體製程的最小線寬。這種設計能讓同一顆晶片容納更多儲存單元，進而提高記憶體容量。
目前，主流商用DRAM仍採用6F平方儲存單元結構。
長鑫存儲表示，其4F平方設計的核心，在於自主研發的垂直環繞閘極(Vertical Surrounding Gate，VSG)電晶體。這項技術透過垂直閘極架構改善漏電問題，同時大幅縮小單元面積，提高儲存密度。
從主流的6F平方結構轉向4F平方結構，代表電晶體通道由水平式轉為垂直式的根本性技術變革。
SK海力士(SK Hynix)已於2025年公布4F平方技術發展藍圖。另外，根據南韓媒體《The Elec》今年4月的報導，三星電子(Samsung Electronics)計劃於2028年前，量產採用這項新設計、製程低於10奈米的DRAM。
投資人長期以來一直擔心，長鑫存儲可能顛覆記憶體市場。該公司股票今年7月上市首日飆漲466%，推升市值至略低於5,000億美元。
截至週一(10月12日)收盤，長鑫存儲仍是中國市值最高的企業，超越科技巨頭騰訊，以及中國建設銀行和中國農業銀行。
美國記憶體概念股12日全面走軟。快閃記憶體模組供應商Sandisk Corp.、美光、SK海力士(SK Hynix) ADR分別下挫5.97%、3.88%、4.02%，硬碟大廠威騰電子(Western Digital)與希捷(Seagate Technology)也下跌2.06%、3.80%。
(圖片來源：Shutterstock)
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