MoneyDJ新聞 2026-04-22 13:42:14 郭妍希 發佈
韓媒傳出，由於良率未盡理想，三星電子(Samsung Electronics Co.)將「無限期」推遲次世代高頻寬記憶體「HBM5E」的量產時程。
Wccftech 22日引述南韓媒體IT Chosun報導，三星已延後10奈米級第7代DRAM (簡稱D1d)的初期量產計畫。三星原定今年第一季通過產前核可(pre-production approval, PRA)並進入實際試產階段，但據了解，由於良率未達預期，導致投資報酬率(ROI)惡化，該公司已決定無限期推遲量產。
熟悉三星內部消息的人士透露，三星管理階層近期針對D1d的良率與ROI進行評估，最終得出「不適合量產」的結論。由於製程難度呈幾何級數增加，在難以確保產品品質穩定的情況下，高層判斷不應貿然啟動生產線。
D1d是三星計畫應用於第9代高頻寬記憶體HBM5E的核心產品。雖然從第6代到第8代(HBM4、HBM4E、HBM5)仍可利用1c DRAM因應，但到了HBM5E階段，穩定供應D1d將成為必要條件。
Wccftech指出，1c DRAM目前被廣泛應用於HBM4、HBM4E及HBM5。其中，HBM4預計今(2026)年稍晚推出，搭載於輝達(Nvidia Corp.)的Vera Rubin及超微(AMD)的MI400平台；HBM4E預計將應用於Rubin Ultra與MI500加速器。另外，HBM5與客製化設計 則預計會被輝達的Feynman系列及其他競爭方案採納。
(圖片來源：shutterstock)
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